半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
授权
摘要
公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的第一器件和第二器件，第一器件和第二器件各自均包括：在衬底上从下至上依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，以及绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠；第一器件和第二器件各自的沟道层的侧壁中至少部分沿不同的晶体晶面或晶面族延伸。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109449121A
申请号 ：
CN201811265735.1
公开（公告）日 ：
2019-03-08
申请日 ：
2018-10-26
授权号 ：
CN109449121B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
朱慧珑张永奎尹晓艮李晨刘永波贾昆鹏
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN201811265735.1
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L27/092
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8238
申请日 : 20181026
申请日 : 20181026
2019-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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