半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

授权

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。半导体器件包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，围绕沟道区的外周形成有栅堆叠；其中，栅堆叠包括各自以不同的阈值电压对不同的沟道层部分进行控制的多个栅电极，沟道层包括在多个栅电极控制下能够形成反型层的半导体层。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109801960A

申请号：

CN201910108675.0

公开（公告）日：

2019-05-24

申请日：

2019-02-03

授权号：

CN109801960B

授权日：

2022-04-01

发明人：

朱慧珑

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

倪斌

优先权：

CN201910108675.0

主分类号：

H01L29/41

IPC分类号：

H01L29/41 H01L29/423 H01L21/336 H01L29/78