半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

授权

摘要

公开了一种半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；依次叠置在衬底上且彼此邻接的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，围绕沟道层的外周形成有栅堆叠；其中，在第一源/漏层和第二源/漏层的至少一个中形成有至少一个界面结构，所述界面结构的两侧的导带能级不同和/或价带能级不同。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109326650A

申请号：

CN201811178260.2

公开（公告）日：

2019-02-12

申请日：

2018-10-10

授权号：

CN109326650B

授权日：

2022-04-19

发明人：

朱慧珑吴振华

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

北京市朝阳区北土城西路3号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

倪斌

优先权：

CN201811178260.2

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L29/08 H01L29/423 H01L21/336