半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
授权
摘要
公开了一种应用了应变工程的竖直型半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，一种竖直型半导体器件包括：设于衬底上的竖直有源区，包括依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，第一源/漏层中至少靠近外周面的一部分是应力源，第二源/漏层中至少靠近外周面的一部分是应力源；以及绕沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法及包括该器件的电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109449206A
申请号 ：
CN201811171612.1
公开（公告）日 ：
2019-03-08
申请日 ：
2018-10-08
授权号 ：
CN109449206B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
朱慧珑黄伟兴张永奎尹晓艮李晨贾昆鹏
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
倪斌
优先权 ：
CN201811171612.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20181008
申请日 : 20181008
2019-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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