包括阻变层的半导体器件及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供一种包括阻变层的半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和设置在衬底上方的栅极结构。栅极结构包括交替叠置在衬底上方的至少一个栅电极层和至少一个层间绝缘层。该半导体器件包括在衬底上方的穿透栅极结构的孔图案，以及在孔图案内顺序地设置在栅极结构的侧壁表面上的栅极绝缘层、通道层、电阻器层和阻变层。电阻器层和阻变层中的每个基于通道层与栅极绝缘层相对地设置。
基本信息
专利标题 ：
包括阻变层的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447219A
申请号 ：
CN202111174634.5
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩在贤
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
许伟群
优先权 ：
CN202111174634.5
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20211009
申请日 : 20211009
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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