阻变器件及其制备方法、设计方法
授权
摘要
一种阻变器件及其制备方法、设计方法，该阻变器件包括第一电极、第二电极、阻变层和至少一层热电调制层。所述阻变层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述热电调制层与所述阻变层相邻。所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。该阻变器件在置位和/或复位过程中具有电导‑脉冲线性区间，有利于提高应用该阻变器件的神经网络的计算精度，有助于实现类脑计算硬件系统。
基本信息
专利标题 ：
阻变器件及其制备方法、设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110931634A
申请号 ：
CN201811014492.4
公开（公告）日 ：
2020-03-27
申请日 ：
2018-08-31
授权号 ：
CN110931634B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
吴华强吴威高滨钱鹤
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区双清路30号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
彭久云
优先权 ：
CN201811014492.4
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 G06F30/20
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-04-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20180831
申请日 : 20180831
2020-03-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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