阻变存储器及其制备方法
公开
摘要
本发明提供了一种阻变存储器及其制备方法，其中阻变存储器包括：阻变层、上电极和势垒结构，阻变层设置于衬底上；上电极设置于阻变层上；势垒结构设置于阻变层和上电极之间，用于在器件执行擦除操作时，电子从势垒结构的导带通过，避免阻变层形成缺陷，造成阻变层的反向击穿。通过在阻变层和上电极之间增加一层非完全配比的氧化层作为势垒结构，在该器件的擦除操作过程中，当施加的擦除电压逐渐增大时，阻变层的导带能级会与该氧化层的导带能级拉平，电子从势垒结构的导带中通过，避免了阻变层中形成过多的缺陷，因此器件不会出现反向击穿，使得器件的耐久性得以进一步提高。
基本信息
专利标题 ：
阻变存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613906A
申请号 ：
CN202011413926.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许晓欣李晓燕董大年余杰吕杭炳
申请人 ：
中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张琛
优先权 ：
CN202011413926.5
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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