一种全无机量子点基阻变存储器及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种全无机量子点基阻变存储器及制备方法，涉及半导体领域，包括自下而上依次设置的基板、底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极与阻变层之间还设置有缓冲层。本发明通过增加铁电材料缓冲层，使阻变存储器的工作电压降低至0.3V以下，存储窗口提高到107量级以上；器件在持续工作1.4×106s后阻变性能退化小于0.01％，并且在104次快速读取测试中显示出良好的耐久性。所述设计大大提升了量子点阻变存储器的阻变性能，加速了量子点基阻变存储器的商业化进程。
基本信息
专利标题 ：
一种全无机量子点基阻变存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112510147A
申请号 ：
CN202011409082.7
公开（公告）日 ：
2021-03-16
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
CN112510147B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
周静王志青陈文沈杰赵利军侯大军
申请人 ：
武汉理工大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
彭月
优先权 ：
CN202011409082.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20201204
申请日 : 20201204
2021-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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