阻变存储器件
授权
摘要
本发明实施例提供一种阻变存储器件，包括依次层叠设置的第一电极层、绝缘介质层、阻变层、氧存储层和第二电极层，其中，所述阻变层包括多个子阻变层。本发明实施例提供的阻变存储器件，通过设置具有多个子阻变层的阻变层，在多个相互贴合的子阻变层之间形成局部导电细丝，能够提供均匀可靠的高低阻态，使得阻变存储器件拥有良好的均匀性和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
阻变存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111293219A
申请号 ：
CN202010130112.4
公开（公告）日 ：
2020-06-16
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN111293219B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
刘力锋王泽昊马跃驰于傲丁向向冯玉林张兴
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
北京市海淀区颐和园路5号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
马瑞
优先权 ：
CN202010130112.4
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
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法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-07-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20200228
申请日 : 20200228
2020-06-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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