阻变存储器件及其制备方法
公开
摘要
一种阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器件包括至少一个阻变存储单元，每个阻变存储单元包括无结场效应晶体管和阻变存储元件。无结场效应晶体管包括有源层、栅介质层和栅极。有源层沿第一方向延伸，包括沟道区以及在第一方向上位于沟道区两端的第一源漏区和第二源漏区；栅介质层设置在有源层上且至少部分环绕沟道区；栅极设置在栅介质层的远离有源层的一侧且至少部分环绕栅介质层。阻变存储元件包括第一电极、第二电极和阻变层，第一电极与无结场效应晶体管的第一源漏区或者第二源漏区电连接。无结场效应晶体管的沟道区长度长，加工成本低，并具有较大的开关比；将无结型晶体管与阻变存储元件集成形成1T1R单元，可有效地减小路径泄露。
基本信息
专利标题 ：
阻变存储器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628434A
申请号 ：
CN202011447965.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王欣鹤吴华强高滨唐建石张志刚钱鹤李镇崔曙光
申请人 ：
清华大学;深圳市大数据研究院
申请人地址 ：
北京市海淀区双清路30号清华大学
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
彭久云
优先权 ：
CN202011447965.7
主分类号 ：
H01L27/24
IPC分类号 ：
H01L27/24 H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78 H01L45/00 H01L21/34 H01L21/44
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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