一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种紫外光可降解的阻变存储器，所述阻变存储器为电极/介质/电极结构，该阻变存储器结构组成从上到下依次为顶电极、介电层、底电极和衬底；其中，顶电极为金属铜(Cu)，介电层为聚邻苯二甲醛(cPPA)薄膜，底电极为氧化铟锡(ITO)，衬底为石英片。采用新型聚合物聚邻苯二甲醛制备得到阻变存储器，该阻变存储器具有典型的双极性阻变特性，其高低电阻比值且器件具有良好的循环耐久性，在数据保留和持久性方面显示出可重现和可靠的内存特性；并且，Cu/cPPA/ITO阻变存储器可以在1000lux照度的紫外光辐射下在一小时内实现阻变介质层的降解以及顶电极金属的消解，从而使存储器件功能失效，从而实现信息安全存储及对环境的保护。
基本信息
专利标题 ：
一种紫外光可降解的阻变存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628582A
申请号 ：
CN202210282532.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭永彩高潮徐菁
申请人 ：
重庆大学
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区沙正街174号
代理机构 ：
重庆博凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘桢
优先权 ：
CN202210282532.3
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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