阻变存储阵列及其操作方法、阻变存储器电路

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摘要

一种阻变存储阵列及其驱动方法、阻变存储器电路，该阻变存储阵列包括多个存储单元、多条位线、多条字线及多个块选择电路。每个存储单元包括阻变器件和开关器件。该多个存储单元沿第一方向和第二方向排列为多个存储单元行和多个存储单元列，该多条位线与该多个存储单元列一一对应连接。该块选择电路配置为响应于块选择电压，将操作电压写入所对应连接的位线。每个存储单元行的存储单元的开关器件的第二端彼此电连接。该阻变存储阵列有助于简化电路的制作工艺并提高良率。

基本信息

专利标题：

阻变存储阵列及其操作方法、阻变存储器电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111179991A

申请号：

CN201911416893.7

公开（公告）日：

2020-05-19

申请日：

2019-12-31

授权号：

CN111179991B

授权日：

2022-06-03

发明人：

潘立阳孙婧瑶吴华强

申请人：

清华大学

申请人地址：

北京市海淀区清华大学

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

彭久云

优先权：

CN201911416893.7

主分类号：

G11C13/00

IPC分类号：

G11C13/00