存储器阵列电路
专利权的终止
摘要

本发明提供一种与用1个存储单元存储2比特数据的非易失性存储元件相对应、并且可进行高速的读出工作的存储器阵列电路。副位线SBL的一端经由漏极选择器DS连接到共用电源CDV上,另一端经由源极选择器SS连接到主位线MBL上。切换对漏极选择器DS的漏极选择线DSA等和对源极选择器SS的源极选择线SSE等的选择信号,将副位线SBL切换为对存储单元MC的漏极线或源极线使用。由此,2比特容量的存储单元MC的读写成为可能。此外,选择2个存储单元MC,用这些存储单元包夹从存储单元到主位线MBL的副位线SBL。由此,可减少布线路径的寄生电容,进行高速的读出工作。

基本信息
专利标题 :
存储器阵列电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1855303A
申请号 :
CN200610006832.X
公开(公告)日 :
2006-11-01
申请日 :
2006-02-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
村田伸一
申请人 :
冲电气工业株式会社
申请人地址 :
日本东京港区
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
浦柏明
优先权 :
CN200610006832.X
主分类号 :
G11C11/408
IPC分类号 :
G11C11/408  G11C11/415  G11C11/4195  G11C16/08  G11C17/18  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
G11C11/4063
辅助电路,例如,用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/408
寻址电路
法律状态
2018-03-06 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/408
申请日 : 20060205
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20170205
2013-12-25 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683052627
IPC(主分类) : G11C 11/408
专利号 : ZL200610006832X
变更事项 : 专利权人
变更前 : 拉碧斯半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本神奈川县横滨市
2013-12-18 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101679285428
IPC(主分类) : G11C 11/408
专利号 : ZL200610006832X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 冲电气工业株式会社
变更后权利人 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京港区
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20131125
2010-01-27 :
授权
2008-06-04 :
实质审查的生效
2006-11-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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