存储器电路

专利权的终止

摘要

本发明的一个目的是提供一种存储器电路、非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置，其中在制造过程之后可以将数据添加到存储装置，并且可以防止因重写导致的伪造等现象。本发明的另一个目的是提供一种具有高可靠性且廉价的非易失性存储装置以及包括该存储装置的半导体装置。一种存储元件包括第一导电层、第二导电层、厚度大于等于0.1纳米且小于等于4纳米且与该第一导电层接触的第一绝缘层，以及夹在该第一导电层、第一绝缘层和第二导电层之间的有机化合物层。

基本信息

专利标题：

存储器电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101615623A

申请号：

CN200910164150.5

公开（公告）日：

2009-12-30

申请日：

2006-03-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汤川干央大泽信晴浅见良信

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

屠长存

优先权：

CN200910164150.5

主分类号：

H01L27/28

IPC分类号：

H01L27/28 G11C13/02