电阻式存储器电路
授权
摘要
本发明提供了一种电阻式存储器电路，包括第一电阻式存储器单元、第二电阻式存储器单元、第一晶体管以及第二晶体管。第一电阻式存储器单元耦接于第一位线以及第一节点之间。第二电阻式存储器单元耦接于第二位线以及第一节点之间。第一晶体管包括第一栅极端、第一漏极端以及第一源极端，第一栅极端耦接至第一字元线，第一漏极端耦接至第一节点，第一源极端耦接至第一源极线。第二晶体管包括第二栅极端、第二漏极端以及第二源极端，第二栅极端耦接至第一字元线，第二漏极端耦接至第一节点，第二源极端耦接至第二源极线。
基本信息
专利标题 ：
电阻式存储器电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111681694A
申请号 ：
CN201910178936.6
公开（公告）日 ：
2020-09-18
申请日 ：
2019-03-11
授权号 ：
CN111681694B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
刘家铭沈鼎瀛林铭哲
申请人 ：
华邦电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台中市
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
王天尧
优先权 ：
CN201910178936.6
主分类号 ：
G11C13/00
IPC分类号 ：
G11C13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C13/00
特征在于使用不包括在G11C11/00，G11C23/00或G11C25/00各组内的存储元件的数字存储器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 13/00
申请日 : 20190311
申请日 : 20190311
2020-09-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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