集成电路含可变电阻式存储器单元及电阻单元及形成方法

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摘要

本发明公开一种集成电路含可变电阻式存储器单元及电阻单元及形成方法，该集成电路包含：一基底具有一可变电阻式存储器区以及一电阻区；一第一介电层以及一第二介电层依序设置于基底上；一图案化堆叠结构，夹置于第一介电层以及第二介电层之间，其中图案化堆叠结构由下至上包含一底导电层、一绝缘层以及一顶导电层；一第一金属插塞以及一第二金属插塞，设置于第二介电层中并分别接触可变电阻式存储器区的顶导电层以及底导电层，因而构成可变电阻式存储器单元；一第三金属插塞以及一第四金属插塞，设置于第二介电层中并接触电阻区的底导电层或顶导电层，因而构成电阻单元。本发明更提出形成此集成电路的方法。

基本信息

专利标题：

集成电路含可变电阻式存储器单元及电阻单元及形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111276509A

申请号：

CN201811478155.0

公开（公告）日：

2020-06-12

申请日：

2018-12-05

授权号：

CN111276509B

授权日：

2022-04-01

发明人：

黄清俊邓允斌张幼弟谈文毅

申请人：

联芯集成电路制造(厦门)有限公司

申请人地址：

福建省厦门市翔安区万家春路八九九号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201811478155.0

主分类号：

H01L27/24

IPC分类号：

H01L27/24