存储器阵列及用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法
实质审查的生效
摘要
一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替的第一阶层及第二阶层的堆叠。将水平伸长的沟槽形成到所述堆叠中以形成横向间隔开的存储器块区域。在横向介于所述存储器块区域中的横向紧邻者之间的所述沟槽中的个别者中形成壁。所述壁的所述形成包括用包括绝缘氮化物及元素形式硼中的至少一者的绝缘材料加衬里于所述沟槽的侧。在所述沟槽中形成核心材料以在所述绝缘氮化物与所述元素形式硼中的所述至少一者之间横向跨越。还公开独立于方法的结构。
基本信息
专利标题 ：
存储器阵列及用于形成包括存储器单元的串的存储器阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114342076A
申请号 ：
CN202080062149.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·史密斯R·M·阿卜杜勒拉哈曼S·博尔萨里C·M·卡尔森D·戴寇克M·J·金吕瑾
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080062149.6
主分类号 ：
H01L27/11519
IPC分类号 ：
H01L27/11519 H01L27/11524 H01L27/11556 H01L27/11565 H01L27/1157 H01L27/11582 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11519
以顶视图布局为特征的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11519
申请日 : 20200911
申请日 : 20200911
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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