本申请案的实施例涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括具有上部导体材料的导体层面，所述上部导体材料处于下部导体材料正上方并且与之直接电耦合。所述上部导体材料和下部导体材料包括相对彼此不同的组成。横向间隔开的存储器块各自包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面并且穿过所述上部导体材料到达所述下部导体材料中。所述沟道材料串的所述沟道材料直接电耦合到所述导体层面的所述上部导体材料和下部导体材料。居间材料横向处于横向紧邻的所述存储器块之间并且纵向沿着横向紧邻的所述存储器块。公开包含方法的其它实施例。