存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
实质审查的生效
摘要
一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括垂直交替第一层面及第二层面的堆叠。第一绝缘体层面在所述堆叠上方。所述第一绝缘体层面的第一绝缘体材料包括(a)及(b)中的至少一者，其中(a)：硅、氮以及碳、氧、硼及磷中的一或多者，且(b)：碳化硅。沟道材料串在所述堆叠中且在所述第一绝缘体层面中。导电材料在所述第一绝缘体层面中直接抵靠所述沟道材料串中的个别者的侧。第二绝缘体层面形成于所述第一绝缘体层面及所述导电材料上方。所述第二绝缘体层面的第二绝缘体材料包括所述(a)及所述(b)中的至少一者。导电通孔经形成且延伸穿过所述第二绝缘体层面且个别地通过所述导电材料直接电耦合到所述个别沟道材料串。公开了包含与方法无关的结构的其它方面。
基本信息
专利标题 ：
存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521291A
申请号 ：
CN202080067615.X
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔令宇D·戴寇克文卡塔·萨蒂亚纳拉亚纳·穆尔蒂·库拉帕蒂L·E·维博沃
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080067615.X
主分类号 ：
H01L27/11556
IPC分类号 ：
H01L27/11556 H01L27/11524 H01L27/11519 H01L27/11582 H01L27/1157 H01L27/11565 H01L21/768 H01L23/522
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11556
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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