本发明揭示了一种形成交叉点存储器单元阵列的方法，其包括针对所形成的存储器单元中的个别者沿着间隔开的下第一线且在高度上在间隔开的下第一线上方形成间隔开的导电下电极柱。壁在高度上在第一线上方且在沿着第一线的电极柱之间交叉。电极柱及壁形成第一线之间的间隔开的开口。使用所形成的存储器单元的可编程材料给开口加衬里以使用可编程材料未足量填充开口。在开口的剩余体积内可编程材料上方形成导电上电极材料，且在高度上在开口内的导电上电极材料上方形成与第一线交叉的间隔开的上第二线。选择装置介于下电极柱与下伏第一线之间或介于导电上电极材料与上覆第二线之间。本发明的方面包含独立于制造方法的交叉点存储器单元阵列。