存储器及其形成方法
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摘要
本发明提供了一种存储器及其形成方法，下电极包括第一部分及第二部分，第一部分从基底向上延伸至所述一设定高度区域，第二部分从所述设定高度区域向上延伸，而金属氧化物层包括第一膜层及第二膜层，所述第一膜层覆盖第一部分的表面及基底的表面，第二膜层覆盖第二部分的表面以及第一膜层的表面，第一膜层可以弥补下电极的下半部分，提高金属氧化物层的厚度均匀性，改善了存储器的性能。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112185963A
申请号 ：
CN202011069835.4
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN112185963B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈敏腾钟定邦
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202011069835.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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