存储器及其形成方法
授权
摘要
本发明提供了一种存储器及其形成方法，通过在所述衬底上形成多个遮蔽图案，至少部分遮蔽图案位于所述字线结构上且延伸至填充剩余深度的字线沟槽，所述遮蔽图案可以同时作为衬底上的遮蔽层和保护所述字线结构的栅绝缘层，相较于现有的存储器的形成方法，本发明可以省略去除衬底上的栅绝缘层、栅介质层以及在衬底上重新形成遮蔽层的步骤，从而简化了存储器的制备工艺，提高了制备的效率，并且不会对存储器的性能产生影响；并且，通过第一气隙和第二气隙可以减小导电图案之间的寄生电容，提高存储器的性能。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111430348A
申请号 ：
CN202010291533.5
公开（公告）日 ：
2020-07-17
申请日 ：
2020-04-14
授权号 ：
CN111430348B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
颜逸飞冯立伟
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202010291533.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-08-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200414
申请日 : 20200414
2020-07-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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