存储器及其形成方法
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摘要
本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供存储基底，所述存储基底包括衬底和器件层，所述器件层形成于所述衬底正面，所述器件层内形成有存储结构和互连结构，所述互连结构与所述存储结构之间具有电连接，所述衬底内形成有绝缘层，至少部分所述互连结构形成于所述绝缘层表面，所述绝缘层顶面与所述衬底正面齐平，所述绝缘层底面与所述衬底背面齐平；位于所述衬底背面及绝缘层底面上的介电层；贯穿所述介电层和绝缘层的贯穿接触部，所述贯穿接触部与至少部分所述互连结构形成电连接。上述方法可以节约工艺步骤，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109817573A
申请号 ：
CN201910058782.7
公开（公告）日 ：
2019-05-28
申请日 ：
2019-01-22
授权号 ：
CN109817573B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
肖亮陈赫
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN201910058782.7
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-06-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190122
申请日 : 20190122
2019-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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