存储器及其形成方法
授权
摘要
本发明提供了一种存储器及其形成方法，直接利用位线结构界定出若干节点接触窗，由于此时节点接触窗的高度较低，深宽比较小，在节点接触窗中形成第一电性传输层时，对第一电性传输层的形成工艺要求较小；形成第一电性传输层之后再形成间隔图案，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，开口至少露出第一电性传输层的部分顶部，形成第二电性传输层于开口中，由于此时开口的高度较低，深宽比较小，在开口中形成第二电性传输层时，对第二电性传输层的形成工艺要求也较小，并且，将第二电性传输层与第一电性传输层电性连接后构成节点接触结构，在此步骤中不会对存储器造成不良影响。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111710679A
申请号 ：
CN202010590205.5
公开（公告）日 ：
2020-09-25
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN111710679B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
童宇诚张钦福詹益旺
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN202010590205.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200624
申请日 : 20200624
2020-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN111710679A.PDF
PDF下载
