存储器结构以及形成存储器结构的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及存储器结构以及形成存储器结构的方法。提供了一种存储器结构，包括：衬底；布置在衬底内的第一阱区、第二阱区和第三阱区，其中第一阱区和第三阱区可以具有第一导电类型，第二阱区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型，并且其中第二阱区可以横向布置在第一阱区与第三阱区之间。该存储器结构还包括布置在第二阱区上方的第一栅极结构和第二栅极结构。第一栅极结构可以在第三阱区上方延伸，第二栅极结构可以在第一阱区上方延伸。
基本信息
专利标题 ：
存储器结构以及形成存储器结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447109A
申请号 ：
CN202111156738.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡新树孙永顺王蓝翔卓荣发陈学深
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111156738.3
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L27/11524 H01L21/28
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20210930
申请日 : 20210930
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
