存储器及其形成方法
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摘要
一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有若干间隔排列的位线结构；形成至少覆盖所述位线结构侧壁的覆盖层；在所述衬底上形成填充满相邻位线结构之间间隙的填充层；刻蚀所述填充层至衬底表面，形成接触孔，所述接触孔与所述覆盖层之间具有部分厚度的填充层；在所述接触孔内形成导电插塞；去除剩余的所述填充层；在所述衬底上填充绝缘层，所述绝缘层封闭所述覆盖层与所述导电插塞之间的空间，在所述覆盖层与所述导电插塞之间形成气隙。所述存储器的性能得到提高。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112447604A
申请号 ：
CN201910815234.4
公开（公告）日 ：
2021-03-05
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN112447604B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
陈龙阳吴公一
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201910815234.4
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L21/768 H01L27/108
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-03-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20190830
申请日 : 20190830
2021-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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