存储器器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
所公开的主题一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地，本公开涉及电阻式随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件，其包括：第一电极，其具有在第一电极的顶部处会聚的锥形侧面；电介质层，其设置在第一电极的锥形侧面上并与第一电极的锥形侧面共形；电阻层，其与第一电极的顶部和电介质层接触；以及第二电极，其设置在电阻层上。
基本信息
专利标题 ：
存储器器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497365A
申请号 ：
CN202111142320.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙剑勋陈元文陈土培
申请人 ：
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111142320.7
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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