一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件

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摘要

本申请实施例公开了一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件，其中，所述方法包括：在下叠层上的第一区域，刻蚀形成M个DCH；其中，所述下叠层具有台阶结构，且所述第一区域靠近所述台阶结构；在所述下叠层上的第二区域，刻蚀形成N个下沟道孔；其中，所述第二区域与所述第一区域不同；M和N为正整数；在包括M个DCH和N个下沟道孔的下叠层之上，沉积形成上叠层；对应所述N个下沟道孔的位置，刻蚀所述上叠层，以形成N个上沟道孔。

基本信息

专利标题：

一种三维存储器件的形成方法及三维存储器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109817639A

申请号：

CN201910045105.1

公开（公告）日：

2019-05-28

申请日：

2019-01-17

授权号：

CN109817639B

授权日：

2022-05-13

发明人：

姚兰

申请人：

长江存储科技有限责任公司

申请人地址：

湖北省武汉市洪山区东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司

代理人：

李梅香

优先权：

CN201910045105.1

主分类号：

H01L27/11582

IPC分类号：

H01L27/11582 H01L27/11556