存储器件及其形成方法
公开
摘要
本发明实施例的一种存储器件包括阶梯结构、多个第一导电接触件、多个第一驱动器以及多个第二导电接触件。阶梯结构包括交替堆叠的多条第一导电线与多个第一介电层。第一导电接触件分别电连接到所述多条第一导电线。第二导电接触件分别电连接到所述多个第一驱动器。所述多个第一导电接触件与所述多个第二导电接触件结合且设置在所述多条第一导电线与所述多个第一驱动器之间。
基本信息
专利标题 ：
存储器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361179A
申请号 ：
CN202210030442.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林孟汉杨世海林佑明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号（邮递区号30078）
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
康艳青
优先权 ：
CN202210030442.5
主分类号 ：
H01L27/11585
IPC分类号 ：
H01L27/11585 H01L27/11597
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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