本申请实施例公开了一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法包括提供基底，基底表面形成有晶体管柱阵列；形成覆盖晶体管柱阵列的堆叠结构，堆叠结构包括沿远离基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿堆叠结构的电容孔阵列，电容孔阵列中的多个电容孔与多个晶体管柱一一对应设置，且电容孔暴露晶体管柱；在电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；形成贯穿第一支撑层的第一间隙孔阵列，第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个第一间隙孔位于彼此相邻的四个第一电极层之间；通过第一间隙孔阵列去除第一牺牲层，暴露第一电极层；依次形成覆盖第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。