存储器及其形成方法
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摘要
一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成若干第一沟槽，相邻第一沟槽之间的衬底为有源区，所述第一沟槽的顶部宽度小于底部宽度；在所述第一沟槽内形成第一隔离结构，部分所述第一隔离结构支撑于所述有源区边缘下方；在所述衬底内形成若干第二沟槽，所述第二沟槽将所述有源区分割为若干子有源区，并使所述子有源区悬空；在所述第二沟槽内填充第二隔离结构，所述第二隔离结构和第一隔离结构横向连接，包围所述子有源区的侧壁和底部。上述方法能够减少存储器的漏电。
基本信息
专利标题 ：
存储器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111816658A
申请号 ：
CN201910283488.6
公开（公告）日 ：
2020-10-23
申请日 ：
2019-04-10
授权号 ：
CN111816658B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201910283488.6
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2020-11-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20190410
申请日 : 20190410
2020-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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