形成存储器件的方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种形成存储器件的方法，该方法包括：在一半导体衬底上形成第一隔离结构及第二隔离结构，该第一隔离结构与该第二隔离结构在其间界定一有源区；及蚀刻该有源区内所提供的半导体衬底的一部分以界定一台阶式轮廓，从而使得该有源区包括一第一垂直部分及一上主要表面，该第一垂直部分在该上主要表面上延伸。
基本信息
专利标题 ：
形成存储器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841707A
申请号 ：
CN200610004536.6
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许炫
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004536.6
主分类号 ：
H01L21/8239
IPC分类号 ：
H01L21/8239 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
法律状态
2015-03-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101602905126
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100045366
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20140127
号牌文件序号 : 101602905126
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100045366
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20140127
2009-05-27 ：
授权
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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