存储器器件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
所公开的主题一般地涉及存储器器件及其形成方法。更具体地,本公开涉及电阻式随机存取(ReRAM)存储器器件。本公开提供了一种存储器器件,其包括:第一电极,其具有顶表面和锥形侧面,其中在锥形侧面与顶表面会合时锥形侧面朝向彼此逐渐变窄;电介质层,其设置在第一电极的锥形侧面上并与第一电极的锥形侧面共形;电阻层,其与第一电极的顶表面和电介质层接触;以及第二电极,其设置在电阻层上。
基本信息
专利标题 :
存储器器件及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497364A
申请号 :
CN202111140718.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
董嘉瑞孙剑勋蒋懿陈元文
申请人 :
格芯新加坡私人有限公司
申请人地址 :
新加坡新加坡市
代理机构 :
北京市中咨律师事务所
代理人 :
贺月娇
优先权 :
CN202111140718.7
主分类号 :
H01L45/00
IPC分类号 :
H01L45/00
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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