混合存储器器件及其形成方法
公开
摘要
本公开涉及混合存储器器件及其形成方法。一种存储器阵列包括混合存储器单元，其中，每个混合存储器单元包括晶体管型存储器和电阻型存储器。该晶体管型存储器包括：存储器膜，在栅极电极上延伸；沟道层，在存储器膜上延伸；第一源极/漏极电极，在沟道层上延伸；和第二源极/漏极电极，沿着沟道层延伸，并且该电阻型存储器包括电阻存储器层，其中，该电阻存储器层在第二源极/漏极电极和沟道层之间延伸。
基本信息
专利标题 ：
混合存储器器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566197A
申请号 ：
CN202210073450.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴昭谊林佑明
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
张敏
优先权 ：
CN202210073450.8
主分类号 ：
G11C11/40
IPC分类号 ：
G11C11/40 G11C13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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