存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法
公开
摘要
本申请提供一种存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法，该存储器件包括多个存储串，每个存储串包括被划分为多个层级的子存储串，每个子存储串包括多个存储单元、SSG晶体管、以及DSG晶体管，该方法包括：在预充电阶段，对位于多个层级中的第一层级的DSG晶体管、存储单元、以及SSG晶体管施加导通电压；在施加导通电压之后，经由每个存储串的两端施加预充电电压；以及在编程阶段，在对待编程的存储串包括的DSG晶体管施加漏极选择电压的同时，将其余存储串包括的DSG晶体管关断。
基本信息
专利标题 ：
存储器件、存储器系统以及存储器件的编程操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114596893A
申请号 ：
CN202210201107.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王均保黄莹
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210201107.7
主分类号 ：
G11C11/4094
IPC分类号 ：
G11C11/4094 G11C11/4074
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/4063
辅助电路，例如，用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
G11C11/4094
位线管理或控制电路
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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