非易失性存储器及其编程方法

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摘要

本发明公开了一种非易失性存储器及其编程方法。编程方法包括：设定多条字线的其中之一为编程字线，设定字线中非编程字线为多个未选中字线；在编程时间区间中的第一子时间区间中，使编程字线上的电压由参考电压被提升至第一编程电压；在编程时间区间中的第二子时间区间中，使编程字线上的电压由第一编程电压被提升至第二编程电压；以及，在第二子时间区间内，提供使至少部分的未选中字线的电压由参考电压被提升至通过电压。

基本信息

专利标题：

非易失性存储器及其编程方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111583984A

申请号：

CN201910167692.1

公开（公告）日：

2020-08-25

申请日：

2019-03-06

授权号：

CN111583984B

授权日：

2022-05-17

发明人：

张馨文张耀文

申请人：

旺宏电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

任岩

优先权：

CN201910167692.1

主分类号：

G11C16/08

IPC分类号：

G11C16/08 G11C16/12 G11C16/30