反熔丝一次可编程的非易失存储器单元及其制造方法与编程方法
专利权的终止
摘要
一种反熔丝一次可编程(ONE－TIME－PROGRAMMABLE)非易失存储器单元，包含具有两P－掺杂区的P阱基板、N+掺杂区以及反熔丝，其中N+掺杂区位于基板上的两P－掺杂区之间，以作为位线。反熔丝(anti－fuse)设置于N+掺杂区上。两绝缘区沉积于此两P－掺杂区上。杂质掺杂多晶硅层设置于两绝缘区与反熔丝上。多晶硅化金属层设置于杂质掺杂多晶硅层上，而多晶硅化金属层与多晶硅层可作为字线。在编程此反熔丝一次可编程非易失存储器单元后，已编程的区域(例如为连结)可作为二极管，其形成于反熔丝上。此外，本发明亦披露反熔丝一次可编程非易失存储器单元的编程方法、读取方法以及制造方法。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝一次可编程的非易失存储器单元及其制造方法与编程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1858910A
申请号 ：
CN200510117693.3
公开（公告）日 ：
2006-11-08
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
龙翔澜
申请人 ：
旺宏电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区力行路16号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永红
优先权 ：
CN200510117693.3
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L21/8247 G11C16/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2020-10-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/115
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20191108
申请日 : 20051108
授权公告日 : 20090128
终止日期 : 20191108
2009-01-28 ：
授权
2007-01-03 ：
实质审查的生效
2006-11-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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