对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法
公开
摘要
一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路，所述存储单元阵列包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管；所述控制电路被配置为：对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作，并且在验证阶段中包括的预充电阶段中对包括所述选定存储单元的选定单元串进行预充电，其中，当向连接到所述选定存储单元的选定位线施加第一预充电电压时，所述选定单元串被预充电。
基本信息
专利标题 ：
对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446359A
申请号 ：
CN202111070540.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金炳秀金炯坤朴径秀白世振尹相范
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111070540.3
主分类号 ：
G11C16/24
IPC分类号 ：
G11C16/24 G11C16/34
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/24
位线控制电路
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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