非易失性静态随机存取存储器
授权
摘要
本公开的各实施例涉及非易失性静态随机存取存储器。非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM)单元包括SRAM单元和单个EEPROM单元。第一门基于字级字线信号将SRAM单元耦合到位线。EEPROM具有接收控制栅极信号的控制端子。第二门基于EEPROM读取信号将EEPROM耦合到位线。第三门基于重新加载信号将SRAM单元耦合到EEPROM。电源锁存器生成用于SRAM单元的电源信号。控制栅极锁存器生成控制栅极信号，控制栅极锁存器在擦除信号和电源信号都处于逻辑高时置位，或者在编程信号和电源信号的补信号都处于逻辑高时置位，并且在读取信号处于逻辑高时复位。
基本信息
专利标题 ：
非易失性静态随机存取存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921160983.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-23
授权号 ：
CN210467333U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
F·塔耶特M·巴蒂斯塔
申请人 ：
意法半导体(鲁塞)公司
申请人地址 ：
法国鲁塞
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201921160983.X
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C11/417 G11C16/08 G11C16/14 G11C16/24
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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