内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）基元
公开
摘要
本发明涉及内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器(SRAM)基元。本公开涉及一种结构，该结构包括：锁存电路；第一非易失性场效应晶体管(FET)，其连接到锁存电路的第一侧和位线；以及第二非易失性场效应晶体管(FET)，其连接到锁存电路的第二侧和互补位线。
基本信息
专利标题 ：
内嵌有非易失性晶体管的静态随机存取存储器（SRAM）基元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613403A
申请号 ：
CN202111458085.4
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·R·贾斯瓦尔B·C·保罗S·R·索斯
申请人 ：
格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请人地址 ：
美国纽约州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
贺月娇
优先权 ：
CN202111458085.4
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412 G11C11/413
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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