非易失性半导体存储器的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的目的在于：提供一种不降低非易失性半导体存储器的制造效率，又能形成微细隧道氧化膜的方法。一种非易失性半导体存储器的制造方法，其中，该非易失性半导体存储器包括：硅衬底、在硅衬底上形成的栅氧化膜、夹持栅氧化膜与所述硅衬底对置配置的浮置栅电极、用于向在所述栅氧化膜的一部分上形成的所述浮置栅电极进行电子的写入及擦除的电子通过的隧道氧化膜，其特征在于，包括下述工序：准备在栅氧化膜的一部分上设定了隧道氧化膜形成区的硅衬底的工序；在硅衬底上形成氧化膜的工序；在氧化膜上，在隧道氧化膜形成区的内侧形成设置了开口部的抗蚀剂掩模的工序；以该抗蚀剂掩模作为掩模，通过各向异性干法刻蚀，使露出在开口部的氧化膜腐蚀成规定的残膜厚度的工序；以及使上述抗蚀剂掩模保持原样，通过湿法腐蚀使隧道氧化膜形成区
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822336A
申请号 ：
CN200510106489.1
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田胜治
申请人 ：
冲电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京港区
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510106489.1
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/28 H01L21/8247
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-12-16 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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