非易失性半导体存储装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO₂、ZrO₂或者CeO₂的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi₂或者NiSi₂的硅化物纳米点。

基本信息

专利标题：

非易失性半导体存储装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1822397A

申请号：

CN200610009024.9

公开（公告）日：

2006-08-23

申请日：

2006-02-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

钟江义晴岩崎富生

申请人：

株式会社日立制作所

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

岳耀锋

优先权：

CN200610009024.9

主分类号：

H01L29/788

IPC分类号：

H01L29/788 H01L29/43 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247