非易失性半导体存储装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明使从供给写入电流的写入电流源(4W)到内部数据线(IDL)、位线(BL)、源极线(SL)、基准电位结点(ND)的路径的除存储单元(MC)以外的电阻值一直恒定，并且在该电流路径中将存储单元和可变电流源之间的电阻值和从存储单元到基准电位结点之间的电阻值分别设定为500Ω以内。实现了改善数据写入/读出的可靠性的非易失性半导体存储装置。
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838320A
申请号 ：
CN200610067698.4
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谷崎弘晃日高秀人
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200610067698.4
主分类号 ：
G11C11/56
IPC分类号 ：
G11C11/56 G11C11/15 G11C16/04 H01L29/792
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/56
使用具有按级表示的两个以上稳态的存储元件的，如：电压、电流、相位、频率的
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003372504
IPC(主分类) : G11C 11/56
专利申请号 : 2006100676984
公开日 : 20060927
号牌文件序号 : 101003372504
IPC(主分类) : G11C 11/56
专利申请号 : 2006100676984
公开日 : 20060927
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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