非易失性半导体存储器件及其操作方法
专利权的终止
摘要
提供了一种采用具有多种电阻状态的电阻器的非易失性存储器件及其操作方法。存储器件包括开关器件和电阻器。电阻器与开关器件电连接且具有一个复位电阻状态和至少两个或多个设定电阻状态。
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储器件及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790720A
申请号 ：
CN200510120245.9
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐顺爱柳寅儆朴允童李明宰
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510120245.9
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2016-12-21 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101693241048
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101202459
申请日 : 20051107
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20151107
号牌文件序号 : 101693241048
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101202459
申请日 : 20051107
授权公告日 : 20091223
终止日期 : 20151107
2009-12-23 ：
授权
2007-08-01 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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