非易失性半导体存储器件及其读取方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
在参考单元202中，设置具有与存储单元相同的结构的第一和第二单元50和52。将第一单元50的存储单元电流IREF1设置为擦除操作之后存储单元电流的最小值。将第二单元52的存储单元电流IREF2设置为写操作之后存储单元电流的最大值。读取电路206将存储单元电流Icell与电流(IREF1+IREF2)/2进行比较，并且输出比较结果。可以使用于擦除验证和写验证的电流源来代替第一和第二单元50和52。
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储器件及其读取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779857A
申请号 ：
CN200510108475.3
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
森俊树
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
王英
优先权 ：
CN200510108475.3
主分类号 ：
G11C16/02
IPC分类号 ：
G11C16/02 G11C16/06
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IPC结构图谱
G
G部——物理
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信息存储
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G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
法律状态
2008-07-30 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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