MRAM读取电路及其读取方法、存储器
公开
摘要
本申请提供一种MRAM读取电路及其读取方法、存储器，所述MRAM读取电路，包括：第一数据通路，用于存储第一数据；第一参考通路，与所述第一数据通路连接且连接点为第一读取点，所述第一参考通路和所述第一数据通路的开启状态一致；第二数据通路，用于存储第二数据，所述第二数据通路与所述第一数据通路在读操作时的开启状态相反；第二参考通路，与所述第二数据通路连接且连接点为第二读取点，所述第二参考通路和所述第二数据通路的开启状态一致；比较模块，与所述第一读取点和所述第二读取点连接，用于读取所述第一数据通路或所述第二数据通路的数据。本申请技术方案的MRAM读取电路及其读取方法可以提高MRAM的读取性能。
基本信息
专利标题 ：
MRAM读取电路及其读取方法、存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114596891A
申请号 ：
CN202011393855.7
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗睿明王韬汪腾野
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
天津市西青区兴华道19号
代理机构 ：
北京市一法律师事务所
代理人 ：
刘荣娟
优先权 ：
CN202011393855.7
主分类号 ：
G11C11/16
IPC分类号 ：
G11C11/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/00
以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件
G11C11/02
应用磁性元件的
G11C11/16
应用磁自旋效应的存储元件的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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