非易失性存储器存储单元读取方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种非易失性存储器存储单元的读取方法，包括：改变读取参考电平，用于读取一组存储器存储单元，作为不同组存储器存储单元的阈值电压分布中的变量函数。其步骤改变包括：确定一个历史读取参考电平用于至少一个历史存储单元的正确读取，根据第一个读取参考电平，选择一个存储器读取参考电平，然后读取至少一个正在使用存储器读取参考电平的历史存储单元相关的非易失性存储器阵列单元。本发明达到了在各种操作条件下对非易失性存储器存储单元精确读取的有益效果。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器存储单元读取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819055A
申请号 ：
CN200510129390.3
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
爱德华多·马彦盖伊·科恩博阿兹·艾坦
申请人 ：
赛芬半导体有限公司
申请人地址 ：
以色列内坦亚市
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
李晓雯
优先权 ：
CN200510129390.3
主分类号 ：
G11C11/34
IPC分类号 ：
G11C11/34 G11C16/06 G11C7/00 H01L27/105
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
法律状态
2009-07-01 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
