ROM存储单元及ROM存储单元存储信息的读取方法
公开
摘要
本申请的实施例公开了一种ROM存储单元及ROM存储单元存储信息的读取方法，涉及存储技术领域，为能够提高ROM存储单元的存储密度而发明。所述ROM存储单元，包括：第一晶体管和2n根位线，其中n为大于等于1的自然数；所述第一晶体管的栅端与第一字线相连，所述第一晶体管的源端与地线或电源线相连，所述第一晶体管的漏端与所述2n根位线中的其中一根位线相连；其中，所述第一晶体管所存信息的第一位，根据所述第一晶体管的漏端相连的位线中的电流大小确定；所述第一晶体管所存信息的第二位，根据所述2n根位线中的预设位线或预设位线组合的电平高低确定。本申请适用于存储信息。
基本信息
专利标题 ：
ROM存储单元及ROM存储单元存储信息的读取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300028A
申请号 ：
CN202111528811.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘进黄瑞锋赵慧
申请人 ：
成都海光微电子技术有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区天府大道中段1366号2栋天府软件园E5座12层23-32号
代理机构 ：
北京市广友专利事务所有限责任公司
代理人 ：
张仲波
优先权 ：
CN202111528811.5
主分类号 ：
G11C17/12
IPC分类号 ：
G11C17/12 G11C17/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C17/00
只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如：可手动更换的信息卡
G11C17/08
应用半导体器件的，例如，双极性元件
G11C17/10
在制造过程中用耦合元件的预定排列确定其存储内容的，例如掩膜式可编程序的ROM
G11C17/12
应用场效应器件的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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