数据读取电路及存储单元
授权
摘要

一种数据读取电路及存储单元,所述数据读取电路包括基准电压生成单元、下拉信号产生单元、灵敏放大单元、列译码单元以及与所述列译码单元一一对应的基准电压调整单元,其中所述基准电压生成单元用于接收反相芯片使能信号、生成芯片使能信号以及生成基准电压,并将所述基准电压输出至所述灵敏放大单元以及所述基准电压调整单元,将所述芯片使能信号输出至所述下拉信号产生单元;所述下拉信号产生单元用于根据所述芯片使能信号产生下拉信号,并将所述下拉信号输出至所述灵敏放大单元以及所述基准电压调整单元;所述基准电压调整单元用于在所述基准电压随下拉信号下降后,将所述基准电压调整至稳定状态。上述方案可以保证基准电压的稳定性。

基本信息
专利标题 :
数据读取电路及存储单元
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111755059A
申请号 :
CN201910240416.3
公开(公告)日 :
2020-10-09
申请日 :
2019-03-28
授权号 :
CN111755059B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
侯海华李智姜敏
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 :
李笑笑
优先权 :
CN201910240416.3
主分类号 :
G11C16/26
IPC分类号 :
G11C16/26  G11C16/30  G11C16/08  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
G11C16/26
读出或读电路;数据输出电路
法律状态
2022-04-15 :
授权
2020-10-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/26
申请日 : 20190328
2020-10-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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