本发明为有关一种防止存储单元数据遗失的方法，该存储单元的晶体管于半导体基底上成型源极、漏极与通道，且通道上成型隧穿氧化层、浮置栅极、隧穿氧化层及控制栅极，而先对浮置栅极进行清除作业，并使用微弱电场，将少许电子注入浮置栅极内部，供浮置栅极内部保持少许电子，并导通源极与漏极间的通道，且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内，可正常读取浮置栅极内部数据，利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子，阻止源极与漏极间的通道导通，则可将数据写入浮置栅极内。